| 金士刚内存型号 |
参数 |
价格 |
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台式机系列 |
| 256M DDR 400 |
规格为184针脚,2.5伏工作电压,采用TSOP封装的标准DDR400颗粒(32M X 8),以及优质的六层电路板 |
150 |
| 512M DDR 400 |
规格为184针脚,2.5伏工作电压,采用TSOP封装的标准DDR400颗粒(32M X16),以及优质的六层电路板 |
270 |
| 1G DDR 400 |
规格为184针脚,2.5伏工作电压,采用TSOP封装的标准DDR400颗粒(64M X 16),以及优质的六层电路板 |
485 |
| 256M DDR2 533 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X4) |
130 |
| 512M DDR2 533 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 8) |
160 |
| 1G DDR2 533 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X16) |
290 |
| 512M DDR2 667 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 8) |
165 |
| 1G DDR2 667 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 16) |
295 |
| 512M DDR2 800 |
规格为240针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 8) |
190 |
| 1G DDR2 800 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 16) |
330 |
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笔记本系列 |
| 256M DDR 333 |
规格为200针脚,2.5伏工作电压,采用TSOP封装的标准DDR333颗粒(32M X 8),以及优质的六层电路板 |
145 |
| 512M DDR 333 |
规格为200针脚,2.5伏工作电压,采用TSOP封装的标准DDR333颗粒(64M X8),以及优质的六层电路板 |
260 |
| 1G DDR 333 |
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590 |
| 256M DDR2 533 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 4) |
140 |
| 512M DDR2 533 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 8) |
185 |
| 1G DDR2 533 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X16) |
310 |
| 512M DDR2 667 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X 8) |
190 |
| 1G DDR2 667 |
规格为200针脚,1.8伏工作电压,采用0.1微米制程,BGA封装的DDR2颗粒(64M X16) |
315 |